furnace annealing termal cepat
Furnace annealing termal cepat adalah peralatan pengolahan semikonduktor yang canggih yang memungkinkan kontrol suhu presisi dan siklus pemanasan serta pendinginan yang cepat. Sistem canggih ini menggunakan lampu berintensitas tinggi atau sumber pemanas lainnya untuk dengan cepat meningkatkan suhu wafer semikonduktor hingga mencapai level sangat tinggi, biasanya antara 400°C hingga 1200°C, dalam hitungan detik. Proses ini terjadi di dalam ruang atmosfer terkendali, di mana parameter seperti suhu, waktu, dan komposisi gas dikelola dengan hati-hati. Fungsi utama furnace ini adalah mengaktifkan dopan, menyembuhkan kerusakan kristal, memadatkan lapisan yang disimpan, dan mengubah sifat interfasial pada material semikonduktor. Yang membedakan teknologi ini adalah kemampuannya untuk meminimalkan anggaran termal sambil mencapai modifikasi material yang diinginkan, menjadikannya esensial untuk manufaktur semikonduktor modern. Sistem ini dilengkapi dengan sistem pengukuran dan kontrol suhu canggih, biasanya menggunakan pirometer atau termokopel, untuk memastikan keseragaman suhu yang presisi di seluruh permukaan wafer. Aplikasi melampaui pengolahan semikonduktor tradisional untuk mencakup pembuatan sel surya, perangkat MEMS, dan penelitian material lanjutan. Kemampuan furnace annealing termal cepat untuk melakukan berbagai proses termal seperti oksidasi, silisidasi, dan pembentukan kontak membuatnya menjadi alat yang tidak tergantikan dalam manufaktur mikroelektronik.