急速熱処理炉
急速熱処理炉は、精密な温度制御と高速加熱・冷却サイクルを可能にする高度な半導体製造装置です。この先進的なシステムは、高強度ランプやその他の加熱源を使用して、半導体ウェハーの温度を数秒で400°Cから1200°Cまでの極めて高いレベルまで素早く上げます。このプロセスは、温度、時間、ガス組成などのパラメータが緻密に管理された制御された大気室で行われます。炉の主な機能は、ドーパントの活性化、結晶損傷の修復、堆積膜の緻密化、および半導体材料の界面特性の変更です。この技術の特長は、望ましい材料変更を達成しながら熱予算を最小限に抑えることができることで、現代の半導体製造において欠かせないものです。システムには、ピロメーターやサーモカップルを使用してウェハー表面全体での精密な温度均一性を確保する高度な温度測定および制御システムが組み込まれています。応用範囲は従来の半導体製造を超え、太陽電池製造、MEMSデバイス、先端材料研究にも及びます。急速熱処理炉は酸化、シリシデ形成、接触形成など様々な熱処理を実行できるため、マイクロエレクトロニクス製造において不可欠なツールとなっています。