hızlı termal annealing fırını
Hızlı termal annealing fırını, hassas sıcaklık kontrolü ve hızlı ısıtma-soğutma döngülerini mümkün kılan bir semiconductor işleme ekipmanıdır. Bu ileri sistem, semiconductor waferlerinin sıcaklığını saniyeler içinde genellikle 400°C ile 1200°C arasında olan aşırı yüksek seviyelere çıkarmak için yüksek yoğunlukta lambalar veya diğer ısıtma kaynaklarını kullanır. İşlem, sıcaklık, süre ve gaz bileşimi gibi parametreler dikkatlice yönetildiği bir kontrol edilen atmosfer odasında gerçekleşir. Fırının ana işlevi, dopantları etkinleştirme, kristal hasarını tedavi etme, yerleştirilen filmleri sıkıştırma ve semiconductor malzemelerinde arayüz özelliklerini değiştirme şeklindedir. Bu teknolojiyi ayırt eden özellik, istenen malzeme değişimlerini elde etmek için termal bütçeyi minimize edebilmesidir ki bu da modern semiconductor üretiminde vazgeçilmez hale gelmesine neden olur. Sistem, pyrometreler veya termokoplar gibi araçları kullanarak wafer yüzeyinde kesin sıcaklık eşitliğini sağlama amacıyla gelişmiş sıcaklık ölçüm ve kontrol sistemleri içerir. Uygulamalar, geleneksel semiconductor işlemeden öteye geçerek güneş hücreleri üretimi, MEMS cihazları ve ileri malzemeler araştırmasına kadar uzanır. Hızlı termal annealing fırının oksidasyon, silisitasyon ve temas oluşturma gibi çeşitli termal süreçleri gerçekleştirebilme yeteneği, mikroelektronik üretiminde ayrılmaz bir araç haline gelmesini sağlar.
EN
